1.1产品特性 ◆ 8位CPU内核 ▲ 精简指令集，6级深度硬件堆栈 ▲ CPU单时钟，仅在系统高频时钟下工作 ▲ 高频时钟下FCPU固定为8T ◆ 程序存储器 ▲ 4080×16位OTP型程序存储器 ▲ 可通过间接寻址读取程序存储器内容 ◆ 数据存储器 ▲ 192字节SRAM通用数据存储器，支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式 ▲ 256字节MTP型数据存储器，可编程1000次 ◆ 2组共14个I/O ▲ P1（P10~P17），P2（P21/P22/P24~P27） ▲ P27为开漏输出，可复用为编程高压VPP输入 ▲ P17为开漏输出，可复用为IROUT，且支持2级输出灌电流可选（37

产品简介 MC32P7311是一款高性能IO+AD型8位MCU，内置32MHz高频RC振荡器、PWM和12位ADC。产品的高抗干扰性能为移动电源应用提供良好的解决方案。 产品特性 ◆ 8位CPU内核 ▲ 精简指令集 ▲ 高频模式下4T/8T/16T/32T/64T/128T/256T可设；低频工作模式下为2T ◆ 存储器 ▲ 2K*16程序存储器空间,8级深度硬件堆栈（通过INDF3可读取ROM区内容） ▲ 256字节通用数据寄存器空间 ◆ 2组IO口 ▲ 6位P0端口，其中P00开漏输出，复用LED输出，最大驱动电流40mA，P01开漏输出，可检测外部1/4电压 ▲ 8位P1端口，其中P

1.产品特性 ◆ 8位CPU内核 ▲ 精简指令集 ▲ 高频模式下2T/4T/8T/16T可设；低频工作模式下为4T ◆ 程序存储器空间 ▲ 2K*16程序存储器空间（OTP）,烧写1次 ▲ 1K*16程序存储器空间（OTP）,烧写2次 ◆ 数据存储器空间 ▲ RAM空间：128字节。 ◆ 4级深度硬件堆栈 ◆ 4组IO口 ▲ 6位P0端口，具有端口唤醒功能，P03和P02与晶振脚复用，P04与复位脚复用 ▲ 6位P4端口，P40-P45与AD模拟输入复用 ▲ 3位P5端口 ◆ 支持低功耗工作模式（休眠功耗小于1uA） ◆ 内部看门狗计数器，时钟源由内部低速RC振荡器提供（24KHz@3V,3

1.产品特性 ◆ 8位CPU内核 ▲ 精简指令集 ▲ 8级深度硬件堆栈 ▲ 高频模式下2T/4T/8T/16T/32T/64T/128T/256T可设；低频工作模式下为4T ◆ 程序存储器 ▲ 2K*16位OTP型程序存储器，烧写1次 ▲ 1K*16位OTP型程序存储器，烧写2次 ▲ 可通过间接寻址读取存储器内容 ◆ 数据存储器 ▲ 128字节SRAM通用数据存储器 ▲ 支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式 ◆ 3组共18个IO ▲ P00~P07、P40~P44、P50~P54 ▲ P03为输入口，可复用于编程高压VPP输入 ▲ 部分端口可复用为外部中断输入、ADC模拟输入、PWM输出、B

产品特性 ◆8位CPU内核 ▲精简指令集，8级深度硬件堆栈 ▲CPU为双时钟，可在系统高/低频时钟之间切换 ▲系统高频时钟下FCPU可配置为4/8/16/32/64/128/256分频 ▲系统低频时钟下FCPU固定为2分频 ◆存储器 ▲2K×16位OTP型程序存储器，可通过间接寻址读取程序存储器内容 ▲256字节SRAM型通用数据存储器，支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式 ◆2组共14个I/O ▲P0（P00~P05），P1（P10~P17） ▲P13为输入/开漏输出口，可复用为外部复位RST输入，编程时为高压VPP输入 ▲P00/P01可复用为外部时钟振荡器输入/输出

n8位CPU内核 2精简指令集，4级缓存寄存器型堆栈 2CPU为双时钟，可在系统高/低频时钟之间切换 2系统高频时钟下FCPU可配置为1/2/4/8/16分频，系统低频时钟下FCPU固定为4分频 n存储器 21K×16位OTP型程序存储器，可通过间接寻址读取程序存储器内容 264字节SRAM型通用数据存储器，支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式 n3组共12个I/O 2P0（P00~P04），P4（P40~P44），P5（P53~P54） 2P04可配置为单输入口或输入/开漏输出口，可复用为外部复位RST输入，编程时为高压VPP输入 2P03/P02可复用为外部时钟振荡器输入/输出 2除P0

产品简介 MC30P6060是一款高性能、低功耗8位OTP+IO型MCU。其内置RC振荡器、定时器和LVD等电路可广泛用于电动玩具、无线通信、LED照明等领域。 产品特性 ◆8位RISCCPU内核 ◆程序存储器空间（OTP） ▲5级深度硬件堆栈/2 ▲ 1K*14程序存储器空间（OTP） ◆数据存储器空间（SRAM） ▲48字节通用数据寄存器空间 ◆11IO+1开漏IO ▲ 4位P0端口 ▲ 8位P1端口，P13为开漏IO口（编程高压VPP复用） ◆3种工作模式 ▲ 高频运行模式：系统在高频时钟下运行 ▲ 低频运行模式：系统在低频时钟下运行（，15uA@外接32768Hz晶体） ▲ 休眠模

产品简介 MC34P6050是一款高性能8位OTP+IO型MCU，内置高精度RC振荡器和LVD，。该产品的高抗干扰性能可广泛应用于智能照明、家电控制等领域。 产品特性 ◆ 8位RISCCPU内核 ◆ 程序存储器空间，两种选择 ▲ 1K*13程序存储器空间（OTP） ◆ 存储器 ▲ 5级深度硬件堆栈 ▲ 48字节SRAM ◆ 5IO+1开漏IO ▲ 6位P1端口，P13为开漏IO口（编程高压VPP复用） ◆ 3种工作模式 ▲ 高频运行模式：系统在高频时钟下运行 ▲ 低频运行模式：系统在低频时钟下运行（5uA@3V） ▲ 休眠模式：CPU停止运行，高频振荡器停止工作 ◆ 定时器 ▲ 内部自振式

产品特性 ◆ 8位CPU内核 ▲ 精简指令集，5级深度硬件堆栈 ▲ CPU单时钟，仅在系统高频时钟下工作 ▲ 高频时钟下FCPU固定为2T ◆ 程序存储器 ▲ 1K×14位OTP型程序存储器（烧录1次） ▲ 0.5K×14位OTP型程序存储器（烧录2次） ◆ 数据存储器 ▲ 50字节SRAM通用数据存储器，支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式 ◆ 1组共6个I/O ▲ P1（P10~P15） ▲ P13为开漏输出，可复用为编程高压VPP输入；其余端口可选开漏或推挽输出 ▲ 所有端口均内置上拉电阻，P10~P12内置下拉电阻，均可单独使能/禁用 ◆ 时钟系统 ▲ 内置高频RC振荡器（8MHz/

1.产品特性 ◆ 8位RISCCPU内核 ◆ 程序存储器空间（OTP） ▲ 1K*13程序存储器空间（OTP）,烧写1次 ◆ 存储器 ▲ 5级深度硬件堆栈 ▲ 48字节SRAM ◆ 5 IO+1开漏IO ▲ 6位P1端口，P13为开漏IO口（编程高压VPP复用） ◆ 3种工作模式 ▲ 高频运行模式：系统在高频时钟下运行 ▲ 低频运行模式：系统在低频时钟下运行（5uA@3V） ▲ 休眠模式：CPU停止运行，高频振荡器停止工作 ◆ 定时器 ▲ 内部自振式看门狗计数器（WDT） ▲ 1个8位定时/计数器，可设置溢出中断 ◆ 中断 ▲ 定时器中断 ▲ 外部中断 ▲ 键盘中断 ◆ 时钟振荡模式 ▲

产品特性 ◆ 8位RISC CPU内核 ◆ 程序存储器空间（OTP） ▲ 5级深度硬件堆栈 ▲ 1K*14bits程序存储器空间（OTP），烧写1次 ▲ 0.5K*14bits程序存储器空间（OTP），烧写2次 ◆ 数据存储器空间（SRAM） ▲ 50字节通用数据寄存器空间 ◆ 5个IO+1开漏IO ▲ 6位P1端口，其中P13为开漏(与编程高压VPP复用)，可程序选择上拉 ◆ 3种工作模式 ▲ 高频运行模式：系统在高频时钟下运行 ▲ 低频运行模式：系统在低频时钟下运行（5uA@FLIRC=32KHz，15uA@外接32768Hz晶体） ▲ 休眠模式：CPU停止运

产品概要 ◆8位CPU内核 ▲精简指令集，5级深度硬件堆栈 ▲CPU为单时钟，仅在系统主时钟下运行 ▲系统主时钟下FCPU可配置为2/4分频 ◆存储器 ▲1K×14位OTP型程序存储器 ▲49字节SRAM/REG型通用数据存储器，支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式 ◆内部合封串行EEPROM芯片（24C02） ◆2组共12个I/O ▲P0（P00~P03），P1（P10~P17） ▲P13为输入/开漏输出口，可复用为外部复位RST输入，编程时为高压VPP输入 ▲P15/P14可复用为外部时钟振荡器输入/输出 ▲所有端口均内置上拉电阻，P10~P12