Ramtron 4Mb非易失性F-RAM获得《电子设计技术》工业创新奖

FM22L16当选为数字集成电路和数字逻辑元件类的领先产品

    全球领先的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品的开发商及供应商Ramtron，今天宣布获得著名杂志《电子设计技术》领先产品的创新奖。Ramtron的FM22L16，作为半导体行业第一个4兆位非易失性F-RAM存储器，被《电子设计技术》杂志的专家组及数千名读者选为数字集成电路和数字逻辑元件类的领先产品。
   Ramtron获得《电子设计技术》享有盛誉的业界认可。4Mb F-RAM已经突破了新的技术范围，并带领Ramtron和F-RAM进入崭新及创新的应用领域。设计工程师们，通过对FM22L16的投票，认可了这项科技成果。
   FM22L16是最高密度的F-RAM产品，到目前为止具有四重的F-RAM存储能力。FM22L16采用44脚TSOP封装的4 mb、3V并行非易失性FRAM，具有具有访问速度快、无限次读/写和低功耗等特点，与异步静态RAM(SRAM)管脚兼容，主要应用于工业控制系统，如机器人技术，网络和数据存储应用，多功能打印机，汽车导航系统，以及大量的其他以SRAM为基础的系统设计。
   FM22L16是256K×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口，存取时间为55ns，周期为110ns。它能以总线速度进行无延迟读写操作，使用寿命超过100万亿次，数据保存能力超过10年。
   4Mb F-RAM是标准异步SRAM的直接替代产品，而且毋需电池进行数据备份，从而显著改进结构与系统可靠性。与电池支持的SRAM不同，FM22L16是真正的表面贴装解决方案，不需要进行电池附加的重写入操作，且能防止潮湿、冲击和振动的危害。FM22L16具备能与当前高性能微处理器相连的工业标准并行接口，兼具高速页面模式，能够实现每秒80兆字节的峰值带宽，是市场上速度最快的非易失性存储器方案之一。
   FM22L16较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA，在整个工业级温度范围内(-40℃至+85℃)于2.7至3.6V下工作。
   FM22L16获得领先产品奖，将-RAM技术推上Ramtron与Texas Instruments共同发展的行之有效的主流过程。F-RAM，是一种理想的非易失性存储器解决方案并将大有潜力改变存储器的前景，尤其是新CMOS的前景，并将提供许多新的独立和集成化的产品。